【摘 要】
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InAs/GaSb超晶格具有Ⅱ型能带结构,能够抑制长波辐射的俄歇复合、提高载流子寿命.与目前窄禁带碲镉汞(HgCdTe,MCT)技术发展水平相比,InAs/GaSb通过调整层厚而非组分来控制带
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083ChalmersUniversityofTechnology,S-41296Goteborg,Sweden中国科学院半导体研究所,北
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InAs/GaSb超晶格具有Ⅱ型能带结构,能够抑制长波辐射的俄歇复合、提高载流子寿命.与目前窄禁带碲镉汞(HgCdTe,MCT)技术发展水平相比,InAs/GaSb通过调整层厚而非组分来控制带边准直特性,具有与MCT相似的吸收系数,使得高量子效率成为可能,是目前唯一理论性能超过MCT的材料技术.
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