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基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响，并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义。
环栅和双栅MOSFET短沟效应分析
【摘 要】
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基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响，并用数值模拟验证了理论结果。这些
【机 构】
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北京大学微电子研究所
【出 处】
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第一届全国纳米技术与应用学术会议
【发表日期】
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2000年期
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