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随着器件特征尺寸缩短到纳米范围，短沟道效应给器件性能带来了重要影响。短沟道效应会造成器件阈值电压下降，从而使亚阈值电流呈指数......
基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效......
提出了一种适合低电源电压应用的新型MOS自举采样开关电路.通过“复制”自举电容和采样开关作为电荷损耗检测电路,并将检测出的电......
针对TSMC 0.18μm CMOS工艺分析了高能粒子入射漏区以及周围区域时NMOS管的电荷分享和电荷收集情况,并定量评估了节点隔离对电荷分......
对锁相环型频率综合器中的高速分频器进行了较为深入的分析．比较了同步分频器和异步分频器，表明了异步分频器在高频应用中的特点．对相......
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并......
本文基于器件模拟软件TCAD(technology computer aided design)和蒙特卡罗工具包Geant4形成了一套评估SRAM单粒子翻转的方法。本文......
主要对导致动态CMOS多米诺电路失效的原因进行详细的描述,并讨论了解决电路失效问题的若干方案,从而有效地提高了动态CMOS多米诺逻......
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基于SOI衬底材料提出了一种新型的CMOS图像传感器有源像素结构,建立了与之相对应的二维器件仿真模型,利用Sentaurus Device仿真工......
