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用扩展电阻技术测量SiGe\Si异质外延材料的载流子浓度
【机 构】
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院半导体研究所
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年12期
其他文献
研究了荧光粉温度猝灭及柱径特性对白光LED光衰的影响。研究结果表明：在具有相同发射波长及初始光效的情况下，猝灭温度高的荧光粉可在一定程度上降低光衰幅度；细枉径且窄分布的高光效荧光粉有利于获得良好抗光表特性，当荧光粉粒径d75/d25从5.0减小到2.0以下后，老化1000h时，窄分布荧光粉的光衰仅为2.5％左右，明显低于宽分布荧光粉约10％的光衰。
本文介绍了国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心的光电性能检测室、安规与环境检测室、电磁兼容检测室和材料性能检测室等四个实验室的建设方案，着重论述了光电性能检测室各套主要仪器设备系统的功能、组成、技术指标、基本的检测原理和方法等，并指出了建立该中心的重要意义。
用电化学阳极氧化法在淀积于Ｓｉ（１００）衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光辐射下强度进一步升高并伴随有光谱展宽和峰值能量升高的反常现象。
该文利用两步阳极化反应形成了不同微观结构的双层多孔硅层。并对多孔硅层进行了长时间的低温真空预处理。在这双层多孔硅上利用超高真空化学气相淀积低温外延获得了硅单晶外延层。对该外延层作了ＸＲＤ，ＳＥＭ和扩展电阻等测量，结果表明获得的Ｐ型外延硅单晶性好，和多孔硅的界面良好，硅处延层的电阻率在１３５Ω．ＣＭ左右。
分别采用聚酰亚胺和ＣＶＤＳｉＯ〈，２〉作层间介质，对２＊２μｍ〈’２〉通孔的刻蚀和铝双层布线导通的成品率能达到１００℅，介质对一次铝的覆盖完整率可达９５℅以上，层间绝缘电压大于２５０Ｖ。
目前中照后的区熔单晶一般都在８５０°Ｃ进行热处理以消除辐照损伤并使〈’３０〉Ｓｉ嬗变形成的磷原子达到电激活，但一些３英寸的Ｎ〈１１１〉常规无旋涡原始区熔硅单晶在中照及８５０°Ｃ退火处理后其体内会现旋涡缺陷。该实验的研究表明，采用１１００°Ｃ温度对中照后的碳含量符合国标要求的３英寸Ｎ〈１１１〉区熔硅单晶进行退火处理，晶体体内不会出现旋涡缺陷；同时，在晶体碳含量较低（小于３＊１０〈’１６〉ａｔ／ｃｍ〈
用热丝化学汽相淀积法（ＨＦＣＶＤ）在衬底温度为６００°Ｃ时制备具有纳米晶体结构的碳化硅薄膜。用ＸＰＳ、ＸＲＤ、拉曼撒射和ＨＲＴＥＭ等手段分析证明了薄膜样品的纳米晶体结构特征，光荧光测试表明这种材料在室温下具有较强的可见光发射，其光荧光谱的主峰能量接近２．２ｅＶ。