【摘 要】
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利用电化学沉积制备出贫铜和富铜的Cu(In,Ga)Se2薄膜,对制备的薄膜硒化退火来提高其光电性能。通过各种测试手段对制备的薄膜的组成成分、微观结构、表面形貌进行表征,结果表明在Se气氛下,采用物理气相沉积(PVD)的方法在富Cu预置层薄膜上沉积少量In、Ga后得到的薄膜其结晶质量和表面状况与贫Cu薄膜直接硒化处理相比有明显改善,并制备出效率6.8%的CIGS薄膜太阳电池。采用快速热处理(RTP)
【机 构】
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南开大学光电子薄膜与器件研究所,天津 300071 大连交通大学材料学院,大连 116028 南开
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利用电化学沉积制备出贫铜和富铜的Cu(In,Ga)Se2薄膜,对制备的薄膜硒化退火来提高其光电性能。通过各种测试手段对制备的薄膜的组成成分、微观结构、表面形貌进行表征,结果表明在Se气氛下,采用物理气相沉积(PVD)的方法在富Cu预置层薄膜上沉积少量In、Ga后得到的薄膜其结晶质量和表面状况与贫Cu薄膜直接硒化处理相比有明显改善,并制备出效率6.8%的CIGS薄膜太阳电池。采用快速热处理(RTP)硒化进一步提高了薄膜的结晶性能,并能有效抑制Se的流失。
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