半导体材料β-FeSi2的外延生长及发光二极管的研制

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Happyboy123456

【摘要】

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过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器件等有发展前景的硅基材料之一.本文采用分子

【作者】

：

李成[1]赖虹凯[1]陈松岩[1]末益崇[2]长谷川文夫[2]

【机构】

：

厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建省,厦门,361005

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

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过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器件等有发展前景的硅基材料之一.本文采用分子束外延系统在Si(100)衬底上外延生长了β-FeSi2颗粒并系统地表征了材料的结构和性质.研制出工作波长约为1.6微米的室温发光二极管.

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