【摘 要】
：
本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜，从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料具有良好的结晶质量并呈现p型导电特性。电流-电压(I-V)特性测试结果显示了该p-NiO/n-GaN异质结发光二极管典型具有典型的整流特性，开启电压大约2.2V。在正向偏压下，该二极管室温下发出明显的紫外光，发光中心位
【机 构】
：
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J
【出 处】
：
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜，从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料具有良好的结晶质量并呈现p型导电特性。电流-电压(I-V)特性测试结果显示了该p-NiO/n-GaN异质结发光二极管典型具有典型的整流特性，开启电压大约2.2V。在正向偏压下，该二极管室温下发出明显的紫外光，发光中心位于375nm。
其他文献
传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效地增大了激光器的量子阱限制因子,减小了激光器的吸收损耗和应力,得到了“原子级光洁”的激光器腔面。通过数值计算的方法优化了GaN基蓝光激光器中lnGaN波导层的厚度和In组分。在此基
本文通过Silvaco软件,仿真分析了栅结构参数的变化对AlGaN/GaN HEMT的性能影响,并优化栅结构得到适合Ka波段的高性能器件。优化得到fr为48GHz,fmax为13IGHz,35GHz增益为12.4dB。从而得到Ka波段高性能功率器件的结构尺寸,栅长为250nm,栅源间距为0.6μm,漏侧栅帽为0.3μn,源侧栅帽为0.2μm。
本文利用脉冲沉积MOCVD方法分别在planar和pss蓝宝石衬底上制备出了lnGaN多量子阱太阳电池,并测试了器件的IV特性。结果表明,pss衬底上制备的电池性能明显优于planar衬底,其转换效率达到了0.64％,开路电压和短路电流分别为2.25V和0.5840 mA/cm2。
功率放大器是无线通讯收发系统中最消耗功率的器件之一,设计一款高效率的功率放大器对于提高无线收发系统的效率具有重要意义。根据本实验室的AlGaN/GaN HEMI器件的测量结果,利用Agilent lCCAP软件对器件进行了小信号和大信号的提参和建模,并根据建立的模型利用Agilent ADS仿真软件设计了一款基于AlGaN/GaN HEMT器件的逆F类功率放大器。设计过程中,提出了在输入端加入一种
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租糙度小于0.5nm,其位错密度低于l06cm-3。
GaN HEMI微波内匹配大功率器件，因其具有体积小、重量轻、输出功率大、工作温度高等方面的优势，将在各类通信、雷达、导航等设备中得到了广泛的应用，特别是在航空、航天、相控阵雷达等特殊领域要求整机小型化方面，具有较大的应用前景。然而，在内匹配测试过程中涉及到的步骤繁琐，牵连到的设备众多且需要实时记录各类数据，致使其测试严重的滞后整个流程。因此，该文章描述了一种自行研制的自动化的，针对于GaN HE
通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高度,使得二维电子气的限域性显著提高。为了提高材料的结晶质量和电学特性,文中采用AlGaN和GaN相结合作为缓冲层,即先生长700nm GaN缓冲层再生长600rim Al0.07G
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050V的电力电子器件,此时器件的特征通态电阻为4.0 mΩ。cm2,是相同击穿电压SiMOSFET的电阻的二十分之一。本文结果证明了
本文通过一维Poisson-Schrōdinger自洽求解，计算了AlGaN/AlN/AlGaN/GaN异质结导带结构和电子气的分布。研究了AlGaN渐变沟道层对能带结构和电子气分布的影响，并对不同条件下电子在不同子带上的分布进行了计算与分析。从计算结果可以看出增大AlGaN渐变层的A1组分以及增大渐变层的厚度都会改变沟道的能带，并使电子向衬底方向扩展，改变电子的分布。
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110meS/mm.通过将其同AlGaN/GaN HFET器件电学特性进行对比,发现Al2O3介质层的插入降低了栅极漏电流,增加了最大饱和沟道电流。同时由于棚介质电容的存在,MOS-HFET器