【摘 要】
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本文利用脉冲沉积MOCVD方法分别在planar和pss蓝宝石衬底上制备出了lnGaN多量子阱太阳电池,并测试了器件的IV特性。结果表明,pss衬底上制备的电池性能明显优于planar衬底,其转换效率达到了0.64％,开路电压和短路电流分别为2.25V和0.5840 mA/cm2。
【机 构】
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School of Science, Xidian University, Xi'an, 710071, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文利用脉冲沉积MOCVD方法分别在planar和pss蓝宝石衬底上制备出了lnGaN多量子阱太阳电池,并测试了器件的IV特性。结果表明,pss衬底上制备的电池性能明显优于planar衬底,其转换效率达到了0.64％,开路电压和短路电流分别为2.25V和0.5840 mA/cm2。
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