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会议论文
射频阱中单个离子的激光冷却和零点囚禁
射频阱中单个离子的激光冷却和零点囚禁
来源 :第八届原子与分子物理全国学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:marinefish
【摘 要】
:
通过采用微型阱和高的囚禁电压,实现了单个Ba〈’+〉离子的强囚禁。利用在超高真空室内置放共振腔,对单个Al〈’+〉离子进行三光子抽运,从而达到单离子冷却。
【作 者】
:
高克林
【机 构】
:
科学院武汉物理研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室
【出 处】
:
第八届原子与分子物理全国学术会议
【发表日期】
:
1996年期
【关键词】
:
射频
中单
单离子
激光冷却
零点
囚禁
超高真空
三光子
共振腔
微型
室内
电压
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通过采用微型阱和高的囚禁电压,实现了单个Ba〈’+〉离子的强囚禁。利用在超高真空室内置放共振腔,对单个Al〈’+〉离子进行三光子抽运,从而达到单离子冷却。
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