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GaN基蓝光LED管芯的制作工艺技术研究

来源 :第八届全国LED产业研讨与学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：h482649

【摘 要】

：

利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上,通过优化p电极、感应耦合等离子体(ICP)干

【作 者】

：

韩彦军 薛松 吴桐 郭文平 罗毅 

【机 构】

：

清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室(北京)

【出 处】

：

第八届全国LED产业研讨与学术会议

【发表日期】

：

2002年9期

【关键词】

：

蓝光发光二极管 LED管芯 GaN材料 制作工艺 

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利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上,通过优化p电极、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和n电极制作中的各项工艺参数,制作出了在正向电流为20mA时,工作电压为3.4-3.5V左右,峰值波长为470nm,输出功率为1.5mW的高亮度的蓝光LED.

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