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基于高能离子注入的双通道LDMOS的设计

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wang_hua1983

【摘 要】

：

　　LDMOS是功率集成电路的主要功率器件.本文在已成功设计的700 V Double RESURF LDMOS基础上，提出了采用高能离子注入工艺制作双通道LDMOS的方法.利用TCAD仿真软件对主要的

【作 者】

：

姜贯军 余士江 李泽宏 任敏 张金平 张帅 董科 陈俭 

【机 构】

：

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

【出 处】

：

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

【发表日期】

：

2011年期

【关键词】

：

高能离子注入 双通道 LDMOS 比导通电阻 功率集成电路 RESURF 功率器件 流片测试 

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　　LDMOS是功率集成电路的主要功率器件.本文在已成功设计的700 V Double RESURF LDMOS基础上，提出了采用高能离子注入工艺制作双通道LDMOS的方法.利用TCAD仿真软件对主要的工艺参数和器件电学参数进行仿真优化，得到击穿电压为732.5 V而比导通电阻仅为11.7Ω·mm2的LDMOS.通过流片测试，比导通电阻较常规Double RESURF LDMOS减小26.4％.

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