【摘 要】
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采用脉冲磁控溅射技术使用掺杂浓度为1.5 wt.％(WO3：ZnO)的陶瓷靶,分别在Ar和Ar+H2 的气氛下制备了W 掺杂ZnO(WZO)和H、W 共掺杂ZnO(HWZO)薄膜,系统的研究了衬底温度以及H 掺杂
【机 构】
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天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,300071
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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采用脉冲磁控溅射技术使用掺杂浓度为1.5 wt.％(WO3：ZnO)的陶瓷靶,分别在Ar和Ar+H2 的气氛下制备了W 掺杂ZnO(WZO)和H、W 共掺杂ZnO(HWZO)薄膜,系统的研究了衬底温度以及H 掺杂对WZO 薄膜特性的影响.结果表明：所制备的薄膜都呈(002)择优生长,薄膜结晶质量随着衬底温度的升高呈现先改善然后恶化的趋势.H 掺入之后薄膜的结晶质量改善,晶粒尺寸增加,电阻率由1.15×10-3 Ωcm 减小到8.35×10-4 Ωcm,400 到1100nm 的平均透过率由82.4％ 提高到84％.
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