【摘 要】
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低阻抗的背面通孔接地技术能够大大提高GaAs微波单片集成电路的性能.本文利用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术,采用CClF/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
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低阻抗的背面通孔接地技术能够大大提高GaAs微波单片集成电路的性能.本文利用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl<,2>F<,2>/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl<,2>F<,2>/Ar混合气体组分配比,得到了表面平滑的通孔形貌.最大的通孔刻蚀速率达到了在4.3μm/min.
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