【摘 要】
：
本文报道了用于释放聚酰亚胺牺牲层的氧气等离子体刻蚀工艺.研究了材料特性、工艺条件对刻蚀速度和释放结果的影响.结果表明,PI-5型聚酰亚胺在纯O等离子体刻蚀条件下存在"微
【机 构】
：
清华大学微电子学研究所(中国北京)
【出 处】
：
第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
论文部分内容阅读
本文报道了用于释放聚酰亚胺牺牲层的氧气等离子体刻蚀工艺.研究了材料特性、工艺条件对刻蚀速度和释放结果的影响.结果表明,PI-5型聚酰亚胺在纯O<,2>等离子体刻蚀条件下存在"微掩膜"效应,释放完毕后存在残余、表面状况差的结果.ZKPI型聚酰亚胺释放后无残余,表面状况良好,并且在O<,2>流量150sccm,功率950W的情况下获得了0.16μm/分钟的横向刻蚀速度.本工艺可广泛应用于各类MEMS器件的牺牲层释放.
其他文献
通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO上沉积AlO薄膜,在能量120keV剂量5×10cm下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低
我们在传统微电子加工基础上结合纳米组装技术构建了基于多壁碳纳米管的纳米电子学器件.在低场下测得导电通道有金属型和半导体型两种.在高场下的电学特性测量表明纳米碳管的
在大尺寸光栅元件离子束刻蚀技术中,改善离子束流密度均匀性是研制离子束刻蚀系统的关键技术之一.通过简介6×66cm RF条形宽束离子源和测试其束流密度的空间分布,分析了影响
采用磁控溅射法,在硅基片上生长了FePt单层膜,FePt/Fe多层膜样品系列,并在不同的温度下进行了热处理.然后用X射线衍射(XRD),电子能量谱(EDX)和振动样品磁强计(VSM)对样品的晶
本文着重介绍真空紫外闪耀光栅、软X射线Laminar光栅和软X射线自支撑透射光栅的全息离子束刻蚀制作技术,给出相应的研制结果.
刻蚀是微器件制作中的关键技术之一,刻蚀结果会直接影响器件的性能.ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术具有刻速快、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好等优点,已
本文提出了针对高压工艺推进阱杂质分布的模拟校准方法,通过修改磷杂质的扩散系数、材料界面间的磷杂质的分凝系数和界面传输系数,获得了与实际测试结果相符合的杂质分布结果
在集成电路技术中,深硅槽主要用于双极集成电路中的隔离以及DRAM中的电容制作.由于双极集成电路中的工作电流大,深硅槽隔离技术对于双极集成电路来说是非常重要的,同时也能减
XPS和硬度分析测试表明:利用MEVVA离子注入机在PET表面注入或沉积碳(C),表面形成了类金刚石薄膜.根据ClsXPS谱直接计算出了sp3的含量.与衬底PET相比,表面薄膜硬度提高了1个量
电感耦合等离子体干法刻蚀技术(ICP)以其高密度高能量和刻蚀各向异性的特点越来越多的在微细加工领域被应用,微电子中心凭借在设备和工艺研发上的优势,在该领域进行了许多深