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介绍了用NH<,3>-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气” 。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm<2>/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm<2>/Vs(RT)和1700cm<2>/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10<13>cm<-2>(RT)和2.6×10<13>cm<-2>(77K)。