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采用ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ技术，在（００１）ＧａＡｓ衬底上，以ＴＭＧ为镓源、以高纯氮气为氮源，低温生长出了纯立方ＧａＮ。利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量，研究了衬底预处理条件对Ｃ－ＧａＮ／（００１）ＧａＡｓ外延层质量的影响。结果表明，在３９０℃￣４１０℃用氢等离子体清洗２０￣３０分钟，可以得到清洁的原子级平坦的外延生长界面；氮化时间以９０秒左右合适；缓冲层的生长是必需的，但生长约１０ｎｍ厚的缓冲层就足够了。