磷烯/BN范德华异质结的第一性原理模拟

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jack196409
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减小磁性材料的厚度是磁存储介质和自旋电子器件领域共同的趋势.当材料很薄时,弱磁场就可以改变磁性薄膜的磁性.因此,我们希望制造出在室温下具有铁磁性的二维材料,从而在场效应晶体管、逻辑电路、稀磁半导体等方面拓展更为宽广的应用前景.本工作利用第一性原理的计算方法,研究了二维铁磁性Ru/MoS2异质结.计算结果表明,Ru原子在MoS2上的稳定位置为Mo原子的顶位,结合能为3.28 eV/Ru,迁移势垒达到
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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算法,使用GGA+Ud+Up方法描述电子之间的关联,计算了四种GBΣ7晶界缺陷的形成能、态密度和电子结构,分析了四种晶界分别对应的态密度、电子结构、Zn 3d轨道平均能级和O 2p电子轨道的展宽,研究了晶界的存在对ZnO电导性影响和其微观机理。
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