【摘 要】
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利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并对其进行了光照老化实验.通过对比白光和红光两种光源照射下电池I-V特
【机 构】
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河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130
【出 处】
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华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会
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利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并对其进行了光照老化实验.通过对比白光和红光两种光源照射下电池I-V特性的变化,发现白光照射后的高晶化电池衰退率只有5﹪,低晶化电池衰退达到15﹪,而红光(λ≥650nm)照射下的电池几乎都没有衰退.这可以说明微晶硅电池的光致衰退现象是由结构中的非晶相引起的.而非晶相存在于孵化层和晶粒间界中,通过比较相同p层不同i层的电池衰退情况,发现非晶相主要存在于孵化层,且是引起衰退的主要原因.
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