【摘 要】
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近几年来,红外探测器得到迅速发展。随着需求的发展必然会提出既要功耗低、体积小、重量轻,又要有高性能价格比,而且使用方便的要求。因此非致冷红外探测器获得了巨大发展的动力。InGaAs是直接带隙材料,具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、光亮平整的表面,稳定性好,是一种短波红外探测器材料,因此可以利用InGaAs/InP材料体系制备红外探测器。而且由于外延层与衬底品格匹配,可以利用先进的生长
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033 中国科学院长春光
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近几年来,红外探测器得到迅速发展。随着需求的发展必然会提出既要功耗低、体积小、重量轻,又要有高性能价格比,而且使用方便的要求。因此非致冷红外探测器获得了巨大发展的动力。InGaAs是直接带隙材料,具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、光亮平整的表面,稳定性好,是一种短波红外探测器材料,因此可以利用InGaAs/InP材料体系制备红外探测器。而且由于外延层与衬底品格匹配,可以利用先进的生长技术获得高质量的In3GaAs/InP材料体系,它所制备的红外探测器可以在室温工作,可批量生产,具有高可靠性。
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回顾上海地区空间结构的发展,实际是我国空间发展的一个缩影.本文介绍了建国以来,特别是20世纪80年代以来,上海地区空间结构的发展情况,并对未来的发展趋势作了展望.
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在高温CVD工艺中广泛采用高纯石墨材料作为感应加热器件及以衬底托,为了防止石墨材料在高温作用下污染反应腔体,使用前一般要对石墨器材进行表面涂覆。SiC具有很强的化学惰性、高温稳定性以及高的热导率等优点,可以用于石墨器材的表面涂层。本文以CVD方法在石墨托上淀积了SiC,并对此工艺进行了研究。CVD淀积过程中碳源和硅源分别是乙烯和硅烷,流量分别为3sccm和1sccm,载气为氢气,流量为5slm,反
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本文采用光辅助MOCVD技术在(100)p-Si和蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过光致发光(PL)谱、X射线衍射(XRD)仪和霍尔(Hall)测试等对薄膜的特性进行了表征,分析比较了光辅助对薄膜特性的影响。实验发现,光照可以改善薄膜的结晶质量和光学质量,并且光辅助条件下生长的薄膜具有更大的晶粒尺寸和较低的本底载流子浓度。分析其原因主要是由于光辅助有助于改善源的分解效率,并可抑制非故意引入的氢的掺
通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了MgZnO p-n同质节。并对它的各种特性进行了测试与分析。样品的开启电压约为4.0V,结特性良好。对同质节中n型与P型ZnO层的电学特性比较发现,n型层的电阻率很小,载流子浓度很大;而P型层的电阻率却大幅度的增加,载流子浓度较n型层小了一个数量级。在n型与P型层的光致发光(PL)光谱中可以发现,两个样品在370nm处都存在着明显的由
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