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介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计,制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片,经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2 GHz频率连续波下,输出功率为15.1W,小信号增益大于10dB,功率附加效率(PAE)为39%;在2GHz频率脉冲测试条件下,测试功率输出为18.3W,此时增益大于8dB。