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ＳｉＧｅＣ三元合金近年来成为人们的研究热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用ＵＨＶ／ＣＶＤ生长的掺碳达２．２℅的锗硅碳合金，获得了良好的外延层质量，应变缓解效应明显。
锗硅碳三元合金中碳对应变缓解作用研究
【摘 要】
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ＳｉＧｅＣ三元合金近年来成为人们的研究热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用ＵＨＶ／ＣＶＤ生长的掺碳达２．２℅的锗硅碳合金，获得了良好的外延层质量，应变缓解效应
【机 构】
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大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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