电离辐照效应相关论文
本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析......
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下......
简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿......
双极晶体管由于其优良的特性,在空间航天器系统中有着广泛的应用前景。由于双极晶体管的电离辐照损伤敏感性受不同极性和不同结构......
本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关......
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环......
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过......
着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B2+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。......
随着大量商用高性能半导体器件用于宇航、核能等领域，越来越多的未加固MOSFET需要在核辐射条件下工作，为了在保证使用的可靠性的同时......
