激光-化学复合法制备表面增强拉曼光谱单晶硅基底

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuzhisuixin
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  激光具有能量高、易操作、可控性好、以及非接触辐照加热不易引入污染等特点,激光辐照单晶硅可以对其表面进行改性并形成微结构.本文介绍了一种表面增强拉曼光谱(SERS)单晶硅基底的快速制备方法,采用这种方法可以通过皮秒激光扫描覆盖有介电微球的单晶硅表面,以及快速化学腐蚀(10 wt.%NaOH溶液,刻蚀时间小于30 s)在单晶硅表面制备具有较好周期性及均一性的微结构阵列.
其他文献
  We utilize variational method to study the Kondo screening of an Anderson impurity in three-dimensional Dirac and Weyl semimetals.We find that the spin corr
会议
  We investigate the influence of itinerant carriers on dynamics and fluctuation of local moments in Fe-based superconductors,via linear spin-wave analysis of
  实现ZnO材料稳定和可重复的p型掺杂是其能够在光电器件,诸如LED、激光及自旋电子器件等,中广泛应用的壁垒之一.N原子因与O原子大小相近,被视为ZnO的p型掺杂剂候选之一.但
  ZnSe晶体是典型的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.7eV.随着非线性四波混频、Z 扫描、泵浦-探测等实验表征技术的出现和成熟,ZnSe 的导带和价带电子特性
  稀磁半导体作为一种可能兼具电子的电荷和自旋自由度的材料,长期以来受到了人们的广泛关注[1,2]。具有122型ThCr2Si2结构的(Ba1-xKx)(Zn1-yMny)2As2实现了载流子和自旋掺
  InPBi是最近才被成功制备的新稀铋材料,其光学、电学性质有待进一步研究。利用霍尔测量,实验发现InPBi合金的电子浓度随铋组分的增加先降低而后升高。利用第一性原理计算,我
  近完美吸收材料具有几乎将入射光百分百吸收的优异特性,在表面等离子传感,太阳能捕获,隐身,热辐射领域得到快速发展[1-4],通过设计不同表面等离子体结构来检测微弱折射率改变
  目前,测量SiC电阻率主要采用非接触的方式,因为对于SiC这种宽禁带半导体很难找到满足形成欧姆接触的低功函数金属作为电极。所以,SiC进行霍尔测试的困难主要在于欧姆接触
  since 1960s,the NiO-based metal-insulator-metal(MIM)structures have been widely studied as one kind of highly promising resistive switching random access me
会议
  锗硅纳米线因其在微电子和光电子器件上的应用前景而受到了广泛关注。但目前最常用的VLS生长方法也存在着与现有的硅半导体工艺不兼容的缺点,因此了限制了其潜在的应用价