生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhaojuan2582

【摘要】

：

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高

【作者】

：

王保柱刘宏新李晋闽王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王翠梅冉军学王军喜

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,北京,100083

【出处】

：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年11期

【关键词】

：

RF-MBE外延铟铝镓氮薄膜射频等离子体分子束外延生长温度

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