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本文研究了高方块电阻发射结对多晶电池性能的影响,结果显示:发射结方块电阻的改进来自网版的优化,主要是栅电极数量和宽度的优化。考察了不同方块电阻值对电池性能的影响规律,发现:当方块电阻值由37.3提高到65 Ω/□时,开路电压和短路电流分别提升了5mV和140 mA,转换效率获得了0.4%的增益,平均效率达到16.3%。从QE分析结果来看,63 Ω/□发射结的短波响应增加了。