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在硅异质结太阳电池的制绒工艺中,引入一种新型的有机刻蚀剂——四甲基氢氧化铵(TMAH)来取代常规的无机碱性刻蚀剂,其优点在于在织构过程中不会额外地引入影响器件性能的有害金属离子(如K+,Na+),有利于提高太阳电池的转换效率。本文研究了TMAH织构参数(刻蚀时间t.和刻蚀温度T)对硅片表面的平均反射率(Rav)和少子寿命(τ)的影响。结果表明:Rav随te的增加而下降;τ随T的升高和te的延长而增加。扫描电子显微镜照片表明,TMAH织构硅片的表面形貌与常规的NaOH织构硅片的表面形貌相近。然而,TMAH织构硅片的少子寿命值高于NaOH织构硅片的少子寿命值,而且,以TMAH织构硅片为衬底的电池的转换效率明显高于以NaOH织构片为衬底的电池的转换效率,反映了TMAH织构工艺无金属离子污染的优点。