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晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究
晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究
来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liyan19821021
【摘 要】
:
采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜
【作 者】
:
刘志平
刘金虎
李栋才
赵谡玲
徐征
【机 构】
:
北京交通大学太阳能研究所,北京 100044 北京中联科伟达技术股份有限公司,北京 100044
【出 处】
:
第十一届中国光伏大会暨展览会
【发表日期】
:
2010年期
【关键词】
:
晶体
硅太阳能电池
镀膜均匀性
总气体流量
数值分析
实验研究
减反射膜
工艺参数
方法讨论
镀膜过程
镀膜工艺
折射率
氮化硅
压强
速率
钝化
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采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响,从而更好的指导及控制太阳能电池的镀膜过程,得到最佳的镀膜工艺。
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