论文部分内容阅读
氮化铝基板薄膜金属化工艺研究
【机 构】
:
部43所
【出 处】
:
第九届全国混合集成电路学术会议
【发表日期】
:
1995年期
其他文献
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高 分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SAED)分析的基础上,提出了本系统(GaN)外延的晶
运用金属有机气相处延设备、国产三甲基镓和进口氮气,在蓝宝石衬底两相相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,当衬底表面是向籽晶面时,生长的六方相氮化镓薄膜有黑色夹层,而
AlN析出量在奥氏体单相区存在着“峰值”温度。本文根据热力学、扩散等理论并利用电子计算机对此“峰值温度”进行了计算。并讨论了铝、氮含量对“峰值”温度的影响。
AlN p
随着房屋抗震要求的提高,以及墙体新材料的推广使用,传统的住宅砖混结构已逐渐被框架结构所替代,竖向承重构件混凝土柱对房屋结构来说就显得尤为重要了,但通过我们对现场质量
我们近期建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL测试的系统.该系统对MOCVD法生长,以适当配比双掺Si、Zn杂质的6H-GaN单晶薄膜进行测量.在300K时,A峰为带边峰