用于90nm技术的等离子氮化超薄栅氧化层的特性研究

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bestopx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文着重探讨了用于90纳米技术的等离子氮化超薄栅氧化层(Plasma nitridated Oxide)的特性.研究了超薄栅氧化层(EOT=1.5纳米)中氮的含量对于器件特性的影响.从超薄栅氧化层比较的结果中,可以看出等离子氮化超薄栅氧化层在有效沟道迁移率,栅漏电流等方面显示其优越性,并在适当的工艺条件下,提高了超薄栅氧化层的在SILC,TDDB和NBTI方面的可靠性.
其他文献
本文介绍TR1201场致发光灯驱动电路的结构、工作原理,并相应设计了一种EL灯驱动电路,在典型条件下进行了电路部分功能的仿真验证.
为能充分发挥集成电路技术的潜能,本文直接基于物理结构设计一种合适典型CMOS技术的低压反馈环.内容包括:反馈环结构、工作条件和内部载流子输运过程以及小信号谐振特性.结果
本文讨论了开关电容滤波器的基本原理.介绍了一种低通开关电容滤波器电路和编程调整开关电容滤波器极点频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本上一致.模
模拟了p-n结结构的6H-SiC紫外光探测器的光响应灵敏度特性.重点讨论了不同的结构,不同的掺杂浓度,以及不同的器件结深对响应灵敏度的影响.对于p-n结的器件,当受光面为p层且厚
会议
本文剖析了一种新型电源控制器电路,在仿真的基础之上,给出该电路的工作原理、设计思路.该控制器集成了自动重启功能、过热保护功能,大功率MOSFET等,使该芯片具有结构简单、
道德风险是指银行职员因职业道德缺陷而使银行经营隐藏或出现风险,对银行造成损失或潜在损失。主要表现有贪污欺诈、偷闲、渎职等种种不负责任的行为,道德风险与其它风险一样
基于双栅MOSFET的阈值电压模型,从理论上推导出沟道区杂质数统计涨薄引起阈值电压变化的标准偏差.利用二维数值模拟研究了杂质涨薄引起的阈值电压变化与器件参数的关系,模拟
本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性
目前已经报道了能够实现"异或"、"或"以及"与非"功能的RST(实空间电荷转移)逻辑器件.本文探索性的提出了一种实现"与"逻辑功能和发光器件结合的RST器件结构.
本文研究外加高压(1GP)对硅片在低温、中温和高温热处理过程中氧沉淀生成的影响.通过透射电镜观察发现氧沉淀的形态和大小与常压下处理的有很大不同,这表明施加在硅片上的高