论文部分内容阅读
本文介绍TR1201场致发光灯驱动电路的结构、工作原理,并相应设计了一种EL灯驱动电路,在典型条件下进行了电路部分功能的仿真验证.
基于TR1201设计的一种EL灯驱动电路
【摘 要】
：
本文介绍TR1201场致发光灯驱动电路的结构、工作原理,并相应设计了一种EL灯驱动电路,在典型条件下进行了电路部分功能的仿真验证.
【机 构】
：
电子科技大学集成电路设计中心(成都)
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
2003年期
其他文献
采样开关的非线性引起的采样误差是影响AD转换器性能的重要因素之一,本文通过采用自举法技术,在采样过程中使MOS开关的栅-源电压保持恒定,纠正采样时间的偏离,消除采样开关的
近些年关于理论与实践一体化的教学改革全国各地的中、高职院校实施较为普遍,也得到了一定的教育科研成果,有力地促进了中、高职院校的深化教学改革,提高了教学效果.但是作为
主要介绍了作为扩散阻挡层的几种材料:TiN,Ta,TaN,WNx的性质和制备以及作为扩散阻挡层材料各自的优点和及缺点.最后,简单介绍了一种三元化合物扩散阻挡层材料.
2000年12月的欧盟尼斯峰会表明,欧洲一体化将再迈新步.今后5-10年的主要任务是:改革欧盟机构及其运行机制,分期分批接纳新成员国,以及组建一支6万人左右的欧盟快速反应部队.
本文利用CMOS双层金属布线工艺制作基于SOI衬底的平面集成电感.实验结果表明基于集成电感性能明显优于体硅集成电感,其品质因数值和自谐振频率都远远高于体硅电感.实验结果同
会议
超薄栅介质的击穿问题是阻碍MOS器件进一步发展的主要原因之一.本文叙述了超薄栅氧化层击穿的几种主要测试方法和机理.利用磁控反应溅射的方法制备了高K(高介电常数)栅介质Hf
会议
本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础.
自1968年起,对于SiO的蜕变与击穿是由于电应力导致缺陷产生的论点,已经历了长达三十多年的研究,产生了多种模型解释.其中有两种主流模型可用于TDDB(时变相关介质击穿).
本文对SOI MOS器件热载流子效应产生的机理进行了分析,并采用器件模拟的方法,对SOI NMOSFET和SOI PMOSFET的热载流子效应进行了研究分析.