Characteristics and surface morphology analysis on polycrystalline silicon thin film using compact e

来源 :第十五届全国等离子体科学技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mutaozhang
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  In order to obtain high performance polycrystalline silicon films,the formation mechanism of polycrystalline silicon (poly-Si) films on K9 glass was investigated using compact electron cyclotron resonance (CECR) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system.
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Plasma flow control,as a novel active flow control technique,has become a newly—rising focus of international aerodynamics and aerothermodynamics fields.PIV test investigations on flow characteristics
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为了满足薄膜太阳能电池、柔性显示器件对高性能阻隔薄膜的需求,采用离子辅助电子束双源共蒸发镀膜的方法获得硅铝二元氧化物镀膜。在蒸发镀膜的过程中,将六甲基二硅氧烷或八甲基环四硅氧烷等含硅有机单体按适当比例掺入霍尔离子源的放电氩气中,机硅单体部分电离并掺杂到硅铝二元氧化物镀膜当中。