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对于硅基薄膜太阳电池的窗口电极而言，有效的陷光结构和优良的电学性能一直都是科研工作者研究的热点.本文首先利用脉冲直流磁控溅射的方法沉积一层具有高迁移率、高近红外透过的ZnO∶H 薄膜，然后通过0.3％稀HCl 溶液腐蚀获得具有大特征尺寸的弹坑状表面形貌实现对长波波段的有效散射；然后利用热蒸发法制备具有良好电学性能的ITO 薄膜来满足窗口层所需的电学性能；最后利用LPCVD 方法在薄膜上面沉积一层具有小特征尺寸的直接生长出纹理结构的BZO 薄膜实现对短波波段的有效散射，同时也获得适合吸收层生长的表面形貌.