类悬浮石墨烯-六方氮化硼单层面内杂化结构的可控制备以及其拼接边缘的STM/STS研究

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq460423406
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  石墨烯与六方氮化硼的面内杂化结构(h-BNC)作为一种新型的、可调带隙的,并且表现出新奇物理化学特性的新颖二维单原子层材料受到人们的广泛关注。[1-4]我们首次在Ir(111)单晶基底上制备了类悬浮的h-BNC杂化结构,并利用扫描隧道显微镜/谱(STM/STS)对该结构进行了原子尺度的精细表征。结合密度泛函理论,我们发现:石墨烯与氮化硼在Ir基底上具有迥异的表观高度和面内粗糙度(石墨烯:氮化硼=1:7),但氮化硼可沿石墨烯畴区边界以zigzag边缘类型进行原子级拼接并形成完美单层杂化结构。另外,STM结合STS结果证明:石墨烯和氮化硼拼接边缘无B,N,C原子混相的现象,拼接边缘的电子态有明显的从石墨烯到氮化硼特征电子态的过渡。
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