【摘 要】
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本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DL
【机 构】
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中国科技大学物理系,安徽,合肥,230026
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得两种试样中存在一个稳定的深能级中心.I-T测量证实这个深能级中心是与氧化锌的本征缺陷相关.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni施主能级向单离化Vzn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.
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