【摘 要】
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在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样品进行了测试分析,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。外延层10×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm:室温下,样品的浓度为1×1015 cm-3 时,霍尔迁移率高达987cm2/V·s；在浓度为1.5×1016 cm-3时,霍尔迁移率为821
【机 构】
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专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样品进行了测试分析,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。外延层10×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm:室温下,样品的浓度为1×1015 cm-3 时,霍尔迁移率高达987cm2/V·s；在浓度为1.5×1016 cm-3时,霍尔迁移率为821cm2/V·s。77K时,霍耳移率分别为1.82×104cm2/V·s和1.29×104 cm2/V·s。其中浓度的汞探针C-V测试结果与霍尔效应得试验数据吻合很好。
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