【摘 要】
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本文对工作电压在10V-18V范围内用于硅基OLED驱动电路的高压CMOS器件进行了模拟.在SynopsysTCAD软件环境下,模拟了栅长为0.8μm的NMOS和PMOS器件,通过不断调整LDD区域的长度及杂质浓度,使器件的击穿电压达30V.同时,确定了关键的工艺参数,并计算了器件的主要特性,为OLEDoS驱动电路的实现打下了基础.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京,100029
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文对工作电压在10V-18V范围内用于硅基OLED驱动电路的高压CMOS器件进行了模拟.在SynopsysTCAD软件环境下,模拟了栅长为0.8μm的NMOS和PMOS器件,通过不断调整LDD区域的长度及杂质浓度,使器件的击穿电压达30V.同时,确定了关键的工艺参数,并计算了器件的主要特性,为OLEDoS驱动电路的实现打下了基础.
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