CMOS器件脉冲总剂量损伤以及退火效应测试技术研究

来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xlweb

【摘要】

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对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉

【作者】

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罗尹虹龚建成姚志斌郭红霞张凤祁

【机构】

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西北核技术研究所,陕西西安69信箱10分箱,710024

【出处】

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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

【发表日期】

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2005年期

【关键词】

：

器件脉冲总剂量损伤瞬时退火效应在线测试系统时间关联快速采集技术指标工作原理电压曲线自动化时间点半导体基础电流参数

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对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉冲后不同退火时间点的电流-电压曲线的快速采集,初步研究了脉冲后CMOS器件总剂量损伤以及瞬时退火效应的时间关联,为今后深入开展此项研究工作打下基础.

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