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对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉冲后不同退火时间点的电流-电压曲线的快速采集,初步研究了脉冲后CMOS器件总剂量损伤以及瞬时退火效应的时间关联,为今后深入开展此项研究工作打下基础.