【摘 要】
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研究了退火对溅射沉积ZnCdO薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜易发生CdO晶相的再蒸发现象.退火ZnCdO(0≤x≤1.0)薄膜的晶胞参数比原位沉积时出现减小现象,尤其是Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜受CdO组分再蒸发现象的影响,晶胞参数减小幅度较大,而薄膜带隙出现增大现象(CdO薄膜除外
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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研究了退火对溅射沉积Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜易发生CdO晶相的再蒸发现象.退火Zn<,1-x>Cd<,x>O(0≤x≤1.0)薄膜的晶胞参数比原位沉积时出现减小现象,尤其是Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜受CdO组分再蒸发现象的影响,晶胞参数减小幅度较大,而薄膜带隙出现增大现象(CdO薄膜除外).另外,薄膜在500℃下的退火时间一般不易超过1h;退火气氛应选择O<,2>气氛.
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