ZnCdO薄膜相关论文
研究了退火对溅射沉积ZnCdO薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量......
ZnO是一种透明氧化物半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV。通过向ZnO中掺入Cd元素得到ZnCdO合金,可以有效减小ZnO的禁带宽度,从......
ZnO具有较大的禁带宽度及激子束缚能,有望成为一种可靠的新型发光材料。对ZnO禁带宽度进行有效调控及提高ZnO基材料的发光效率,是......
利用直流反应磁控溅射在柔性衬底(聚乙烯对苯二酸脂,PET)上低温沉积了对可见光透明的低电阻率的ZnxCd(1-x)O薄膜,并研究了Zn含量x对Znx......
分别在石英衬底和c面蓝宝石衬底上制备了ZnCdO薄膜和ZnCdO/ZnO多量子阱结构。XRD和PL测试分析表明该ZnCdO薄膜具有单一取向和高晶......
ZnO作为Ⅱ-Ⅵ族宽带隙直接跃迁半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,适合于制备紫外发光器件和激光二极管。目......