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该文讨论了不同的扩散方式对扩散后硅表面状态、掺杂浓度等的影响。设计了三种扩散方式:予淀积/再分布方式;硅片予处理/予淀积/直接剥离表面层物质方式;硅片予处理/予淀积/转化及剥离表面层物质方式。验证扩散后产生的表面层物质是产生合金点的重要原因之一,剥离掉这层物质后继续扩散就可以实现浓硼深结扩散。此外,在扩散总时间一定,并去掉各次产生的表面层物质后,则多次扩散比一次扩散能得到更深的结深。