【摘 要】
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本文讨论了在钙钛矿型氧化功能陶瓷中氧空位的的作用和影响.制备了不同配方的以SrTiO3为基材的样品,分别在强还原气氛和大气条件下制备了n型电压敏、电容双功能元件和p型氧气
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
本文讨论了在钙钛矿型氧化功能陶瓷中氧空位的的作用和影响.制备了不同配方的以SrTiO3为基材的样品,分别在强还原气氛和大气条件下制备了n型电压敏、电容双功能元件和p型氧气敏感元件,测试了n型元件的压敏电压U1mA等电参数和p型元件在不同的温度下的阻温特性、氧敏特性,进行了TPD测量.研究表明:氧空位是在SrTiO3晶体中杂质扩散、实现半导化的重要条件,因此控制氧空位成为制备钙钛矿型半导体功能陶瓷元件的重要因素;还原气氛烧结产生的氧空位是材料实现n型半导化的重要手段;受主杂质所产生的氧空位促进了环境氧与晶格氧的交换,是材料实现p型半导化的重要手段,也提高了元件的氧气灵敏度.
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