硅(Si)衬底上碳化硅(SiC)薄膜的快速生长

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cunkjiang

【摘要】

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本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长

【作者】

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李家业赵永梅刘兴昉孙国胜王雷赵万顺罗木昌曾一平李晋闽

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,北京,100083

【出处】

：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

衬底碳化硅薄膜低压化学气相沉积外延膜光学显微镜外延生长生长条件生长速度射线衍射取向关系气体流量反应过程垂直式系统结晶机理

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本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长速度与反应气体流量的关系,HCl在反应过程中的机理,以及在快速生长条件下,外延膜的结晶和取向关系.

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