【摘 要】
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利用射频磁控反应溅射法，以Ar、CH为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了Ge-C薄膜。用可见光光度计及傅立叶红外光谱对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明，随CH流量的增加
【机 构】
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工业大学材料科学与工程学院(西安)
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
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利用射频磁控反应溅射法，以Ar、CH<,4>为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了Ge-C<,1-x>薄膜。用可见光光度计及傅立叶红外光谱对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明，随CH<,4>流量的增加薄膜的折射率下降，且对可见光变得逐渐透明。Ge<,x>C<,1-x>薄膜的折射率可根据工艺参数的改变在1．8～4．2之间变化，这对于多层红外增透膜的设计和实现具有重要的意义。增透膜沉积实验表明，Ge<,x>C<,1-x>膜系对ZnS衬底具有良好的增透效果。
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