【摘 要】
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继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后，半导体材料出现了第三代以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，其特点包括临界击穿电场高、饱和电子速度高、电子密度高、电子迁移率高及导热率高等，是一种适用于高频、高压、高温、大功率的抗辐照等级高的半导体材料。由于GaN器件的开关特性、驱动技术及损耗机制相比Si MOSFET有显著差异，如何实现合理的驱动，对发挥其优势至关重要。本文以同步Buck变换器为例提出
【机 构】
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电力电子节能与传动控制河北省重点实验室(燕山大学) 秦皇岛 066004
【出 处】
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2018第十二届中国电工装备创新与发展论坛暨第八届电工技术前沿问题学术论坛
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继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后，半导体材料出现了第三代以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，其特点包括临界击穿电场高、饱和电子速度高、电子密度高、电子迁移率高及导热率高等，是一种适用于高频、高压、高温、大功率的抗辐照等级高的半导体材料。由于GaN器件的开关特性、驱动技术及损耗机制相比Si MOSFET有显著差异，如何实现合理的驱动，对发挥其优势至关重要。本文以同步Buck变换器为例提出一种谐振驱动技术，并给续流管栅极加一偏置电压减小反向压降提高效率。实验结果表明此谐振驱动技术可有效提高驱动的可靠性，加载偏置电压后变换器的效率也可得到有效提高。
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