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本文在分析现有过温保护电路的基础上,针对传统过温电路多采用BJT为温度传感器,而标准CMOS工艺中制造的BJT性能较差的限制,提出了一种新型的全CMOS过温保护电路,电路利用工作在亚阈区的MOS管产生的与温度成正比(PTAT)的电流和NMOS阈值电压的负温度特性对温度进行检测,该电路具有结构简单,抗电源干扰能力强,温度的迟滞易于调节的优点。采用0.8um CMOS工艺库的HSPICE仿真结果表明该电路对电源电压和工艺参数变化的影响有较强的抑制能力。