【摘 要】
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清洁能源必然是世界能源发展的必然趋势，与其他类型太阳能薄膜电池相比，铜锌硒硫锡薄膜太阳能(CZTSSe)因其潜在效率较高，可控带隙，绿色环保，节约成本等优点，逐渐受到越来越多研究人员的关注。目前对于CZTSSe的研究方向主要集中在下面几个方面：优化药品比例，碱金属掺杂，硫化硒化，过渡层优化，窗口层优化等等方面。本次试验中，我们采用DMF作为前驱体溶剂，通过优化药品中Zn/Sn的比例，提高开路电压，
【机 构】
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内蒙古大学 内蒙古呼和浩特市赛罕区大学西路235号
【出 处】
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第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会
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清洁能源必然是世界能源发展的必然趋势，与其他类型太阳能薄膜电池相比，铜锌硒硫锡薄膜太阳能(CZTSSe)因其潜在效率较高，可控带隙，绿色环保，节约成本等优点，逐渐受到越来越多研究人员的关注。目前对于CZTSSe的研究方向主要集中在下面几个方面：优化药品比例，碱金属掺杂，硫化硒化，过渡层优化，窗口层优化等等方面。本次试验中，我们采用DMF作为前驱体溶剂，通过优化药品中Zn/Sn的比例，提高开路电压，得到效率可达10％的太阳能电池器件。
其他文献
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异质结界面复合是限制CIGS性能提升的关键问题.目前，在CIGS太阳能电池中通常采用化学水浴沉积(CBD)制备的CdS作为n型缓冲层并且其器件效率达到了22.9％，仅次于世界纪录效率(23.35％).因此对CdS进行掺杂，优化CdS特性，改善其与CIGS界面质量有望进一步提高CIGS太阳能电池效率In掺杂CdS是一种有效的提升CdS光电特性的方法.但是In2S3的溶度积常数极低，通过传统的CBD工
在CZTSSe太阳能电池中,Voc损失较大的本质原因可以归结于吸收层体相中的深能级缺陷.其中,SnZn反位缺陷作为最主要的深能级施主缺陷,严重损害了CZTSSe太阳能电池的Voc.SnZn缺陷会在CZTSSe的禁带中形成间接的复合中心,产生电子-俘获效应,降低少数载流子寿命[1-3].此外,SnZn反位缺陷还会和CuZn反位缺陷形成[2CuZn+SnZn]的缺陷簇.这些缺陷簇会引起带隙或静电势的波
Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)光伏器件的低开路电压(VOC)是制约CZTSSe器件效率提升的关键因素.CdS与CZTSSe之间的能带失配是造成CZTSSe器件中光生载流子界面复合严重,导致开路电压亏损的一个主要原因.本工作中我们使用CBD方法,使Zn部分替代Cd形成均匀致密的Zn1-xCdxS缓冲层薄膜.测试结果表明Zn2+的引入改善了CZTS/CdS界面的能带排列,在异质结界面处
光伏发电的广泛应用为我国发展绿色经济和清洁高效的能源结构提供了新思路.在最近几年时间里,众多新型半导体材料被应用于光伏领域,其中宽带隙、廉价、稳定、无毒的全无机太阳能电池在叠层太阳电池顶电池上表现出巨大的潜力.Sb2S3本身带隙较宽(1.7 eV)、光吸收系数高且具有无毒、廉价等特性,较适合作为太阳能电池的活性层.另外,电子缓冲层具有提高电子的抽取和阻挡空穴的作用,且由于TiO2材料具有环境友好的
碲化镉和铜铟镓硒薄膜太阳能电池已经实现了大于22％的光电转化效率,但Cd的毒性和In、Ga元素的稀缺性一定程度限制了其广泛应用,需探索新型无毒、高元素丰度的薄膜太阳能电池.锑基硫族化合物薄膜太阳能电池近年来发展迅速,受到广泛的关注.锑硫硒[Sb2(S,Se)3]合金薄膜,因其带隙在1.1 eV到1.7 eV之间连续可调,覆盖了Shockley-Queisser极限效率对应的最佳带隙(1.3 eV)
Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于其良好的光伏性能及无毒丰产的元素组成受到国际上的广泛关注,迄今已达到接近13％的能量转换效率,但是距离理论能量转换效率(33％)仍然相差甚远。对于这种多层结构的薄膜电池器件,除吸收层外,器件上下接触界面(P-N异质结界面、背接触界面)质量是影响器件性能提升的关键因素。针对背接触界面不利的相分解反应、过厚的MoSe2层等关键问题,我们提出
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