切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
底电极材料对PZT薄膜在微波磁场中结晶化的影响
底电极材料对PZT薄膜在微波磁场中结晶化的影响
来源 :第十三届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:blnxy325
【摘 要】
:
近年来,随着微波加热设备和测温技术的不断完善,微波加热在金属微粒子、纳米材料、有机材料以及无机非金属材料等材料制备中得到了广泛的应用。微波加热作为一种节能、环保、高效的加热方式,具有加热速度快、工艺温度低、加热均匀等特点。
【作 者】
:
陈艳娜
王占杰
【机 构】
:
中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家实验室沈阳市沈河区文化路72 号 110016
【出 处】
:
第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
:
2012年5期
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近年来,随着微波加热设备和测温技术的不断完善,微波加热在金属微粒子、纳米材料、有机材料以及无机非金属材料等材料制备中得到了广泛的应用。微波加热作为一种节能、环保、高效的加热方式,具有加热速度快、工艺温度低、加热均匀等特点。
其他文献
GaN基光伏器件的关键材料技术
会议
GaN
光伏器件
材料技术
Forward bias voltage controlled infrared photodetection andelectroluminescence from a p-i-n quantum
会议
AlN薄膜材料HVPE生长研究
会议
GaN衬底上AlN的HVPE生长研
会议
ZnO单晶衬底上ZnMgO薄膜的MOCVD外延生长
本文采用MOCVD 技术在ZnO单晶衬底上生长了ZnMgO薄膜。研究了ZnO单晶衬底的生长前热退火对于衬底表面形貌的影响,借助原子力显微镜(AFM)发现在900℃氧气氛下退火2 小时可以获得原子级平整表面,适于ZnMgO 薄膜的外延生长。
会议
ZnO衬底
ZnMgO
MOCVD
基于n-ZnO/n-GaN同型异质结的电致发光器件研究
利用射频磁控溅射技术制备了n-ZnO/n-GaN 同型异质结发光器件,器件的EL 谱显示其在370nm 左右有一个较强的紫外发射峰,器件的阈值电压为3.0 V.在此基础上,利用MgO 作为插入层,制备了n-ZnO/i-MgO/n-GaN 结构器件,得到了更强的紫外发射和更低的阈值电压(2.5 V).在700℃下,空气环境中对n-ZnO/n-GaN 结构器件进行1 小时的退火处理,实现了正偏压下发射
会议
外延LaNiO3薄膜的电输运性质及其各向异性研究
近年来,LaNiO3 (LNO)薄膜由于其优越的导电性和较小的赝立方晶格常数得到了广泛研究,尤其关于其金属绝缘转变的研究目前倍受关注[2]。目前,很难制备出LNO 单晶,因此研究块体LNO 导电各向异性有一定的困难。
会议
Au/LNO纳米复合薄膜的制备及其导电性的研究
近年来,导电金属氧化物薄膜的制备、评价及应用已成为功能材料与微电子器件研究领域的一个新热点。导电金属氧化物薄膜作为铁电薄膜的底电极材料,可以降低铁电薄膜/电极界面处的氧空位浓度,从而改善铁电薄膜的极化疲劳特性。
会议
Dye-sensitized solar cells based on CdS, CdSe and CdTe quantum-dot sensitized TiO2 thin films
Dye-sensitized solar cells (DSSC) were assembled using the TiO2 photoelectrodes,which weremodified by Ⅱ-Ⅳ group semiconductors (CdS,CdSe and CdTe) quantum dots.The structure and morphologyevidenced by
会议
TiO2
DSSCs
quantum dots
photoelectrochemical
“双钙钛矿”多铁BiFe0.5Mn0.5O3薄膜独特的“双弛豫性质”
作为室温单相多铁材料BiFeO3 而受到广泛关注,有望开发新型磁电耦合器件.BiFeO3 (BFO)多铁性材料,属于钙钛矿结构Rhombohedral R3C 点群,晶胞参数a = 0.5634 nm,α= 59.348°.BiFeO3 较令人感兴趣的特征是室温下呈铁电性(TC=1123K)与弱铁磁性(TN=643K)共存,是目前尚少的室温铁磁铁电体材料.然而本征磁电耦合性较弱及较大漏电流,其优异
会议
多铁性材料
双钙钛矿结构
双弛豫特征
磁电耦合
与本文相关的学术论文