【摘 要】
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利用溶液旋涂法制备了不同HFP摩尔含量(5%,12%,15%,17%)的P(VDF-co-HFP)厚膜。为提高厚膜耐击穿电场强度,采用双向拉伸工艺以500%的拉伸率处理P(VDF-co-HFP)厚膜。然后用XRD
【机 构】
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西安理工大学印刷包装与数字媒体学院; 西安交通大学理学院应用化学系;
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利用溶液旋涂法制备了不同HFP摩尔含量(5%,12%,15%,17%)的P(VDF-co-HFP)厚膜。为提高厚膜耐击穿电场强度,采用双向拉伸工艺以500%的拉伸率处理P(VDF-co-HFP)厚膜。然后用XRD和DSC表征了拉伸前后P(VDF-co-HFP)厚膜结晶度、晶相等凝聚态结构变化,并利用Agilent-4980和铁电测试仪比较分析了拉伸处理前后P(VDF-co-HFP)厚膜介电和储能性能。结果表明,拉伸处理后不同HFP摩尔含量的P(VDF-co-HFP)厚膜发生了由α相到β或γ相的相变,使室温下介电常数稍有下降。然而,经拉伸处理后,HFP摩尔含量为5%的P(VDF-co-HFP)厚膜耐击穿电场强度提高到了900MV/m,单向电滞回线表明,该厚膜可释放能量密度达到27.7 J/cm3。该数值高于此前报道结果,为PVDF基含氟聚合物在能量存储方面应用提供了重要参考。
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