【摘 要】
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We report a detailed calorimetric study on single crystals of the 5d-transition metal pnictide SrPt2As2 with a superconducting critical temperature Tc=5K.The peculiar field dependence of the electroni
【机 构】
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杭州师范大学物理系,310036,杭州 浙江大学物理系,310027,杭州
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We report a detailed calorimetric study on single crystals of the 5d-transition metal pnictide SrPt2As2 with a superconducting critical temperature Tc=5K.The peculiar field dependence of the electronic specific heat coefficient γ can be decomposed into two linear components.
其他文献
利用MOCVD技术，在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析：在4英寸SiC衬底上生长出的高质量GaN缓冲层(002)面及(102)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到129、194弧秒；InAlN/GaN材料方阻不均匀性1.5％、室温二维电子气迁移率1216cm
我们实验发现,GaN基激光器在阈值处的电学特性不同于传统教科书的描述,表现出与GaAs基激光器迥异的特性.就此进行了深入细致的理论和实验研究,以期揭示其物理本质,丰富对于半导体激光激射的理论认识.研究发现这一反常特性是与受激辐射密切相关.
窄线宽1550nm激光器是激光通信、激光探测、激光测量等应用的核心元件,结构紧凑的窄线宽激光器大多采用半导体增益芯片作为增益区,再结合光栅外腔、集成光栅、耦合波导等线宽压缩元件来实现.单模和高功率输出是增益芯片的基本要求,GaAs基单横模激光器功率可以高达1.3W[1],但1550nm波段器件即使优化了波导结构也只能达到0.8W[2],这是源于InP体系材料吸收和载流子泄露等造成的.
发光波长位于2-3微米波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、红外对抗、长波通信、生物医学等领域而成为目前研究的热点.目前,2-3微米波段激光器有源区材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构.GaSb基量子阱材料因其生长结构复杂,含Sb的四元甚至五元系化合物生长及界面难以控制,很难满足实际应用需求.
受限于Mg固溶度低、热离化能大,以及Mg重掺杂所导致的自补偿效应,采用金属有机化合物化学气相沉积生长的p型GaN空穴浓度一般都处在低于1018 cm-3的水平.[1,2]因此,如何能实现高空穴浓度的p型GaN对于制备高性能光电子器件以及大功率电子器件依然是一个难题.
GaN外延薄膜通常沿着其极性轴c轴[0001]方向生长,由于c轴方向具有很强的自发极化和应变诱导的压电极化效应,使得c面GaN外延薄膜中产生强大的内建电场,能带发生弯曲和倾斜,同时电子和空穴波函数在量子阱空间上交迭变小致使有源层发光效率下降[1,2].
铜氧高温超导丰富的物理属性使BCS理论遇到严峻挑战,尤其载流子密度实验结果显示"电声耦合"失效.我们多年来完成的一系列正电子实验和大量的理论计算结果表明,铜氧超导电性与价电子密度并没有直接关联.与之相对应,Hall效应实验也显示空穴载流子浓度变化不影响铜氧超导电性.两类实验结果一致表明,无论是空穴配对还是电子配对,铜氧超导的配对机制不服从"电声耦合".因为在BCS理论中,载流子的态密度直接决定了材
过渡金属二硫属化合物MX2具有与铜氧化物高温超导体和铁基超导体类似的层状结构,其低维性使其基态性质不稳定;通过改变内部化学环境或外部条件可诱导出各种新的量子态,我们选择具有丰富电荷密度波相和电子强关联Mott绝缘相的1T-TaS2作为研究对象,采用化学气相输运方法生长了掺杂/插层的单晶样品,通过电输运、磁性质、热电势等性质测量研究了掺杂/插层对1T-TaS2体系电荷密度波和超导电性的影响,并对实验
利用一个两轨道模型,并计入同格点及最近邻格点轨道内吸引作用V0和V1,我们研究了基于BiS2的超导体的配对对称性.在做平均场近似和求解自洽方程后,得到了配对对称性的相图.根据V0和V1的取值,该模型中会出现三种可能的配对对称性.它们分别是:各向同性的s波[△k=△s];各向异性的s波[△k=△s+△xs/2(coskx+cosky)];以及d波[△k=△d/2(coskx-cosky)].进一步地
我们研究了在BaTi2(Sb1-xBix)2O体系中的等价替代效应.BaTi2Sb2O母体在55K左右出现SDW或CDW有序,并且在1.5K出现超导.随着Sb被Bi逐渐替代,a c以及c/a逐渐变大,显示出引入了负的化学压力并导致了晶格畸变.x=0.17时Tc达到3.7K,之后随着Bi的掺杂Tc逐渐降低.当x=0.3是超导Tc约为1K而且电阻行为出现金属到非金属的转变.SDW或CDW行为随着Bi的