【摘 要】
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本文详细研究了绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件的热载流子退化机理.首先,通过对不同应力条件下器件的热载流子退化趋势和退化量的研究,发现横向绝缘栅双极型器件的最坏应力可以用结构和浓度分布相同的横向双扩散金属氧化物半导体管的峰值衬底电流来评估.对器件静态应力条件下的热载流子退化进行了实验,并借助软件仿真分析了器件的退化杌理,研究发现,器件的热载流子退化主要发生在鸟嘴区,鸟嘴区的热空穴注入主导了整个器件的
【机 构】
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东南大学,电子科学与工程学院,南京210096
【出 处】
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2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
论文部分内容阅读
本文详细研究了绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件的热载流子退化机理.首先,通过对不同应力条件下器件的热载流子退化趋势和退化量的研究,发现横向绝缘栅双极型器件的最坏应力可以用结构和浓度分布相同的横向双扩散金属氧化物半导体管的峰值衬底电流来评估.对器件静态应力条件下的热载流子退化进行了实验,并借助软件仿真分析了器件的退化杌理,研究发现,器件的热载流子退化主要发生在鸟嘴区,鸟嘴区的热空穴注入主导了整个器件的导通电阻退化,使器件的导通电阻降低,并且,通过电荷泵实验对该退化杌理进行了验证.本文还对动态应力下器件的热载流子退化进行了研究,通过对动态应力进行分段并与静态应力比较,发现在较快的开关态转换过程中器件的热载流子退化存在明显的瞬态效应.
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